在半导体制造工艺中，光刻胶去除（Ashing）和表面预处理（Descum）是决定器件良率与性能的关键环节。荷兰Trymax Semiconductor Equipment公司推出的NEO 2000系列等离子除胶系统，凭借其灵活的工艺配置与高性价比的拥有成本，在8英寸及以下晶圆加工市场中占据独特地位。
一、设备平台与自动化参数
NEO2000的设计哲学强调“灵活配置"与“高产出"。其传输平台支持100mm、150mm、200mm（即4英寸至8英寸）衬底的兼容处理，且不同尺寸间的切换无需更换硬件，这一特性对多规格生产的MEMS和化合物半导体产线尤为重要。
在自动化与物料搬运方面，设备提供多种配置选项：
装载端口（Loadport） ：可选配3或4个开放式Cassette工位，或2个集成SMIF（标准机械接口）端口，以满足不同洁净等级需求。
机械手：搭载5轴双臂机械手，配合专用衬底夹持器，机械传片速率（Throughput）可达200片/小时（wph） 以上，显著提升生产效率。
控制系统：基于Windows工业计算机的全数字控制架构，支持DeviceNet及以太网通信，符合SEMI S2-01、S8-01及CE欧盟安全标准。
二、核心工艺腔体与等离子源配置
工艺腔体是决定去胶效果的核心。NEO2000的最大技术亮点在于其可配置的等离子源系统，用户可根据具体工艺需求选择以下模块：
等离子源类型频率/技术特点典型应用场景
微波源2.45GHz，下游等离子体设计，损伤风险低对衬底损伤敏感的低压Descum、光刻胶去除
射频源（RF）13.56MHz，提供较强的离子轰击能量高剂量离子注入后光刻胶去除、各向同性刻蚀
双源（MW/RF Bias）微波与射频偏压组合兼顾高灰化速率与方向性控制，适用于复杂封装工艺
DCP（双射频直接耦合）RF/RF直接耦合等离子体针对特定材料（如SiN、SiC）的刻蚀应用
这种模块化设计使NEO2000不仅能处理标准的光刻胶灰化，还能胜任氮化硅/碳化硅刻蚀、TaSi刻蚀等进阶工艺。
三、工艺性能关键指标
灰化速率：针对体光刻胶（Bulk Resist），系统可实现大于10µm/min的高速去除能力，同时通过集成的卡盘风冷回路，可在大范围温度区间内自动切换，确保低温Descum与高温体胶去除的双重需求。
均匀性与重复性：设备提供优异的片内均匀性（Within-wafer uniformity）和片间重复性（Wafer-to-wafer repeatability），这对于先进封装中聚合物（如PI、BCB、PBO）的去除至关重要。
四、适用工艺与应用领域
NEO2000的应用覆盖从前道晶圆制造到后道先进封装的全流程：
前道制程：Light Etching（轻刻蚀）、Descum Strip、PR Ashing（光刻胶灰化）、离子注入后去胶。
先进封装与MEMS：Bumping前的Descum处理、3D IC通孔清洗、以及射频滤波器（BAW/SAW）制造中的光刻胶去除。
化合物半导体：已成功应用于SiC（碳化硅）和LiTaO3（钽酸锂）衬底上的去胶工艺，服务于5G射频和功率电子市场。
广泛的应用领域
Trymax 拥有丰富的等离子体技术产品组合，可满足客户及各类应用的需求。
光刻胶体相灰化
高剂量离子注入剥离
去胶
非关键性各向同性刻蚀
DRIE 后腔体或垂直通孔（TSV）中的聚合物去除
牺牲层剥离
各种表面处理
光刻胶紫外线固化
紫外线电荷擦除
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