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BEHLER MOSFET 低耦合电容件

更新时间:2024-05-18

访问量:789

厂商性质:代理商

生产地址:德国

简要描述:
BEHLER MOSFET 低耦合电容件
高压开关,可变导通时间,低耦合电容,MOSFET
●具有真正继电器特性的多功能高压开关
●TTL信号可控制导通时间
●由于耦合电容较低,简化了EMC并降低了容性损耗
●LC2技术具有最高的瞬态抗扰度
品牌其他品牌应用领域化工,能源,制药,电气,综合
HTS151-10-LC2

BEHLER MOSFET 低耦合电容件

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高压开关,可变导通时间,低耦合电容,MOSFET

具有真正继电器特性的多功能高压开关

TTL信号可控制导通时间

由于耦合电容较低,简化了EMC并降低了容性损耗

LC2技术具有最高的瞬态抗扰度

应用笔记一:

C3产品组的开关针对控制侧和接地的耦合电容进行了优化。低耦合电容是高重复率下高效工作的关键。考虑到低噪声发射、良好的EMC行为、稳定的操作和高开关速度,减小的耦合电容也是期望的。LCLC2开关都能很好地满足这些要求。但如果是最高开关频率(%3E 300千赫),那么开关系列LC不错的选择LC系列的缺点是其有限的瞬态抗扰性,这使得它们对火花放电、短路、不稳定的负载和不稳定的输入电压相对敏感。与此相反,LC2系列开关设计用于恶劣工作条件下的中等开关频率(%3C 300 kHz)LC2开关对不稳定负载(例如等离子体负载)和不稳定输入电压不敏感。在其散热能力范围内,它们可以抵抗火花放电、短路和过压瞬变。

应用笔记二:

BEHLKE固态开关具有上升和下降时间。如果您的应用不需要全切换速度,我们建议您使用速度限制选项S-TT(上升和下降时间大约慢。50%),结合输入低通滤波器选项LP。速度限制选项有助于最小化快速高压脉冲电路的高频困难(例如自振荡、自重新触发、振铃等))并从总体上简化EMC设计。

应用附注三:

快速MOSFET开关对来自未箝位感性负载或过度布线电感的反向电流相对敏感。

反向电流可能会以不确定的方式开启缓慢的本征(寄生)MOSFET二极管,并可能导致灾难性的开关故障,尤其是在关断阶段以及高关断电流期间。因此,当感性负载或高感性布线连接到开关时,建议始终将MOSFET开关与快速续流二极管网络(快速串联阻塞二极管+并联快速续流二极管)结合使用。

这种保护二极管网络可以通过BEHLKE FDA系列的单个二极管安装在外部。它也可以作为选项I-FWDN集成到交换模块中。请仔细阅读一般说明。

出口限制:

根据美国法律和德国法律(两用法规),最大峰值电流等于或高于500安培的快速固态开关受出口限制。没有美国或德国出口当局的有效出口许可,不得将这些货物出口到第三国。可能需要最终用户声明。BEHLKE

产品代码:

型号包含有关电压、电流和开启行为的编码信息。前几个数字代表以kV为单位的电压,破折号前的最后一个数字表示导通行为(0 =固定导通时间,1 =可变导通时间)。破折号后的数字表示电流,单位为安培x10。特殊功能由第二个破折号后的字母编码。 HTS 31-12-LC示例:HTS =高压晶体管开关,3 = 3 kV1 =可变导通时间,12 = 120安培,LC =低耦合电容。

BEHLER MOSFET 低耦合电容件

LC2开关。强大、稳健和短暂的证明。请向下查看选项列表。

开关模型
[
排序依据电压]

描述/评论
优先股类型有限库存X不用于新开发

最大值电压 [千伏]

峰值电流
[A]

峰值功率
[毫瓦]

-抵制。
[Ω]

准时
[ns]

HTS 61-10-LC2

带内部控制单元的标准DAP外壳

6

100

0.6

2.3

120…∞

HTS 61-20-LC2

带内部控制单元的标准DAP外壳

6

200

1.2

1.15

120…∞

HTS 61-40-LC2

法兰外壳。内部控制单元。

6

400

2.4

0.65

120…∞

HTS 61-80-LC2

法兰外壳。内部控制单元。

6

800

4.8

0.29

120…∞

HTS 121-10-LC2

带内部控制单元的标准DAP外壳

12

100

1.2

4.6

120…∞

HTS 121-20-LC2

带内部控制单元的标准DAP外壳

12

200

2.4

2.3

120…∞

HTS 121-40-LC2

法兰外壳。内部控制单元。

12

400

4.8

1.65

120…∞

HTS 121-80-LC2

法兰外壳。内部控制单元。

12

800

9.6

0.82

120…∞

HTS 121-120-LC2

法兰外壳。里面的或分机。控制单元。高电流端子。I-FWDN集成。

12

1200

14.4

0.38

120…∞

HTS 121-240-LC2

法兰外壳。里面的或分机。控制单元。高电流端子。I-FWDN集成。

12

2400

18.8

0.19

120…∞

HTS 151-10-LC2

法兰外壳。内部或外部。控制单元。高压引线、母线或连接器螺栓。

15

100

1.5

6.08

120…∞

HTS 151-20-LC2

法兰外壳。内部或外部。控制单元。高压引线、母线或连接器螺栓。

15

200

3

3.04

120…∞

HTS 151-40-LC2

法兰外壳。内部或外部。控制单元。高压引线、母线或连接器螺栓。

15

400

6

1.52

120…∞

HTS 151-80-LC2

法兰外壳。内部或外部。控制单元。高电流端子。

15

800

12

0.76

120…∞

HTS 151-120-LC2

法兰外壳。内部或外部。控制单元。高电流端子。

15

1200

18

1.7

120…∞

HTS 151-240-LC2

法兰外壳。内部或外部。控制单元。高电流端子。

15

2400

36

0.85

120…∞

HTS 201-10-LC2

法兰外壳。内部或外部。控制单元。高压引线、母线或连接器螺栓。

20

100

2

7.8

150…∞

HTS 201-20-LC2

法兰外壳。内部或外部。控制单元。高压引线、母线或连接器螺栓。

20

200

3.9

150…∞

HTS 201-40-LC2

法兰外壳。内部或外部。控制单元。高压引线、母线或连接器螺栓。

20

400

8

1.9

150…∞

HTS 201-80-LC2

法兰外壳。内部或外部。控制单元。高电流端子。

20

800

16

0.95

150…∞

HTS 201-120-LC2

法兰外壳。内部或外部。控制单元。高电流端子。

20

1200

24

0.63

150…∞

HTS 201-160-LC2

法兰外壳。内部或外部。控制单元。高电流端子。

20

1600

32

0.47

150…∞

HTS 201-200-LC2

法兰外壳。内部或外部。控制单元。高电流端子。

20

2000

40

0.38

150…∞

HTS 201-400-LC2

法兰外壳。内部或外部。控制单元。高电流端子。

20

4000

80

0.19

150…∞

HTS 241-10-LC2

法兰外壳。内部或外部。控制单元。高压引线、母线或连接器螺栓。

24

100

2.4

9.2

200…∞

HTS 241-20-LC2

法兰外壳。内部或外部。控制单元。高压引线、母线或连接器螺栓。

24

200

4.8

4.6

200…∞

HTS 241-40-LC2

法兰外壳。内部或外部。控制单元。高压引线、母线或连接器螺栓。

24

400

9.6

2.3

200…∞

HTS 241-80-LC2

法兰外壳。内部或外部。控制单元。高电流端子。

24

800

19.2

1.15

200…∞

HTS 241-120-LC2

法兰外壳。内部或外部。控制单元。高电流端子。

24

1200

28.8

0.76

200…∞

HTS 241-160-LC2

法兰外壳。内部或外部。控制单元。高电流端子。

24

1600

38.4

0.57

200…∞

HTS 241-200-LC2

法兰外壳。内部或外部。控制单元。高电流端子。

24

2000

48

0.46

200…∞

HTS 241-400-LC2

法兰外壳。内部或外部。控制单元。高电流端子。

24

4000

96

0.23

200…∞

HTS 301-10-LC2

法兰或管状外壳。内部或外部。控制单元。所有高压连接器选项。

30

100

3

11.4

200…∞

HTS 301-20-LC2

法兰或管状外壳。内部或外部。控制单元。所有高压连接器选项。

30

200

6

5.7

200…∞

HTS 301-40-LC2

法兰或管状外壳。内部或外部。控制单元。所有高压连接器选项。

30

400

12

2.9

200…∞

HTS 301-80-LC2

法兰外壳。内部或外部。控制单元。高电流端子。

30

800

24

1.43

200…∞

HTS 301-120-LC2

法兰外壳。内部或外部。控制单元。高电流端子。

30

1200

36

2.9

200…∞

HTS 301-160-LC2

法兰外壳。内部或外部。控制单元。高电流端子。

30

1600

48

0.71

200…∞

HTS 301-200-LC2

法兰外壳。内部或外部。控制单元。高电流端子。

30

2000

60

0.57

200…∞

HTS 301-400-LC2

法兰外壳。内部或外部。控制单元。高电流端子。

30

4000

120

0.29

200…∞

 

 

产品组C3 - MOSFET,可变导通时间,低耦合电容

 

低耦合电容.png


1)  HTS 901-10-LC2,采用高压瞬变防护LC2技术的低电容MOSFET开关。该开关旨在满足非常苛刻的工业要求。隔离电压%3E 150千伏
(
可选高达300 kV)。带有内置控制单元(可更换)90千伏直流电,100安导通电阻%3C 40欧姆。开启上升时间%3C50 ns
2)  HTS 901-10-LC2
,同上,但带有选项SEP-C(独立控制单元)和选项DLC(直接液体冷却)
HTS 1001-20-LC2
,高功率MOSFET开关,带选项th(管状外壳)和选项DLC(直接液体冷却)100千伏直流电,200安一包。上升时间%3C最大50 ns。功耗30千瓦

汉达森*田*永*福

北京汉达森机械技术有限公司是一家专业从事欧洲工业产品进口贸易的公司。主要产品有工业自动化设备、机电设备、液压设备、电气设备和零部件等产品。公司总部于2007年在德国成立。公司自成立以来,一直以德国公司的身份为国内一些贸易商,设备商及终端客户提供产品代购服务。目前我们是德国、意大利、瑞典等数家工业设备生产商的中国区总代理;德国、意大利十几家工业设备企业的一级分销商。优势品牌超过八十个。与欧洲区两千个以上的供货商有业务往来。

我们的优势:

渠道广泛,国内有代理,或者有客户保护厂家不卖的产品,只要您能提供型号,我们同样可以从德国的分销商来采购。

价格合理,绕过层层代理,最大限度的让利给客户。

直接从德国厂家采购,保证所有产品均为原装正品。

BEHLKE:

HTS 240-48-B

MOSFET Switch

Ursprungsland: DE


HTS 240-104-B

MOSFET Switch

Ursprungsland: DE


HTS 241-30-SiC 

Silicon Carbide Switch 

Ursprungsland: DE


HTS 401-160-LC2

MOSFET Switch



FSWP 51-02 (NO)

Fast Square Wave Pulser No Options


GCF VI

Option Grounded Cooling Flange, Category VI


EXPRESS DE

Ursprungsland: DE


HTS 201-15-SiC

Silicon Carbide Switch


HTS 121-160-FI

IGBT Switch, Fast IGBT

Ursprungsland: DE




HTS 361-200-FI

IGBT Switch, Fast IGBT

Ursprungsland: DE


HTS 361-200-FI

IGBT Switch, Fast IGBT

Ursprungsland: DE


HTS 500-80

MOSFET Switch


MOSFET Switch 

Ursprungsland: DE

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